調(diào)理_1668504500.png)
據(jù)轉(zhuǎn)換器_1668504554.png)
置_觸覺反饋_1708505730.png)
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電腦_1668506535.png)
配件_1668506552.png)
控制與驅(qū)動(dòng)_1672903565.png)
備開發(fā)_1668506951.png)
工具_(dá)1668506968.png)
計(jì)服務(wù)_1668507003.png)
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產(chǎn)品
產(chǎn)品概述 收藏
CS32F060
CS32F060 采用 32 位 ARM? Cortex ?-M0 內(nèi)核，嵌入 64K Bytes Flash 和 8K Bytes SRAM，最高頻率 48MHz。
CS32F060 采用 32 位 ARM? Cortex ?-M0 內(nèi)核，嵌入 64K Bytes Flash 和 8K Bytes SRAM，最高頻率 48MHz。
CS32F060 涵蓋 24 腳到 32 腳等多款產(chǎn)品。芯片集成豐富的模擬外設(shè)，包括多達(dá) 4 路 12 位 DAC、1 路 12 位 ADC、內(nèi)部參考電壓、溫度傳感器和 2 個(gè)模擬比較器。芯片提供標(biāo)準(zhǔn)的通信接口（I2C、SPI 和 USART）、3 個(gè) 16bit 定時(shí)器和 4個(gè) CLU。
CS32F060 的工作環(huán)境溫度/結(jié)溫為-40℃~105/125℃，工作電壓 2V~5.5V。芯片提供一系列電源工作模式，以滿足不同的功耗應(yīng)用。CS32F06X 適用于光模組應(yīng)用。
內(nèi)核
32位Arm@ Cortex@-M0，最高48MHZ
存儲(chǔ)器
—64K Bytes 的Flash 存儲(chǔ)器
—8KBytes 的 SRAM，帶硬件奇偶校驗(yàn)
—8KBytes 的 SRAM，帶硬件奇偶校驗(yàn)
工作環(huán)境
—數(shù)字模塊和I/o 電源 VDD 電壓：2.0-5.5V
—模擬模塊電源 VDDA 電壓：2.0~5.5V二
—環(huán)境溫度：-40~105℃
—模擬模塊電源 VDDA 電壓：2.0~5.5V二
—環(huán)境溫度：-40~105℃
復(fù)位及電源管理
—低功耗模式：睡眠，深度睡眠1，深度睡眠2
—支持上電/掉電復(fù)位(POR/PDR)
—支持低電壓檢測(cè)(LVD)
—支持上電/掉電復(fù)位(POR/PDR)
—支持低電壓檢測(cè)(LVD)
時(shí)鐘模塊
—內(nèi)部8/24/32/48MHZ RC 振蕩器，典型±1%精度
—內(nèi)部 40kHz RC 振蕩器，典型±10%精度
—內(nèi)部 40kHz RC 振蕩器，典型±10%精度
通用輸入輸出(I/O)
—最多 29個(gè) I/0 ，所有 I/0 映射外部中斷向量
—支持輸入防倒灌功能，防止電平不匹配、斷電等情況下外設(shè)向 IO 注入電流
—軟件復(fù)位(包括FWDT復(fù)位)后保持復(fù)位前狀態(tài)
—可靈活配置管腳的外設(shè)功能
—支持輸入防倒灌功能，防止電平不匹配、斷電等情況下外設(shè)向 IO 注入電流
—軟件復(fù)位(包括FWDT復(fù)位)后保持復(fù)位前狀態(tài)
—可靈活配置管腳的外設(shè)功能
封裝
—QFN20、OFN24、QFN32
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